InGaAs APD-modules

Model: GD6510Y/GD6511Y/GD6512Y

Koarte beskriuwing:

It is indium gallium arsenide lawine-fotodiode-module mei pre-amplifikaasje-sirkwy dat it mooglik makket om swakke aktuele sinjaal te fersterkjen en te konvertearjen yn spanningsinjaal om it konverzjeproses fan foton-fotoelektryske sinjaalfersterking te berikken.

krije quote Download

Technyske parameter

Produkt Tags

Features

Frontside ferljochte flat chip
High-speed antwurd
Hege gefoelichheid fan detector

Oanfraach

Laser berik
Laser kommunikaasje
Laser warskôging

Fotoelektryske parameter(@Ta=22±3℃）

Artikel #	Pakket kategory	Diameter fan fotosensitive oerflak (mm)	Spektrale antwurd berik (nm)	Breakdown spanning (V)	Responsiviteit M=10 λ = 1550 nm (kV/W)	Rising tiid (ns)	Bânbreedte (MHz)	Temperatuer koëffisjint T_a= -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	Noise lykweardich krêft (pW/√Hz)	Konsintrisiteit (μm)	Ferfongen type yn oare lannen
GD6510Y	TO-8	0.2	1000-1700	30-70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B