850nm Si PIN modules

Model: GD4213Y/GD4251Y/GD4251Y-A/GD42121Y

Koarte beskriuwing:

It is 850nm Si PIN-fotodiode-module mei pre-amplifikaasje-sirkwy dat it swakke aktuele sinjaal mooglik makket en konvertearje nei spanningsinjaal om it konverzjeproses fan foton-fotoelektrysk-sinjaalfersterking te berikken.

krije quote Download

Technyske parameter

Produkt Tags

Features

High-speed antwurd
Hege gefoelichheid

Oanfraach

Laser fuse

Fotoelektryske parameter (@Ta = 22 ± 3 ℃)

Artikel #	Pakket kategory	Diameter fan fotosensitive oerflak (mm)	Responsiviteit	Rising tiid (ns)	Dynamysk berik （dB）	Operating voltage (V)	Noise voltage (mV)	Notysjes
Artikel #	Pakket kategory	Diameter fan fotosensitive oerflak (mm)	λ=850 nm，φ_e= 1 μW		λ = 850 nm	Operating voltage (V)	Noise voltage (mV)	Notysjes
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(ynfalshoek: 0°, transmittânsje fan 830nm ~ 910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10×0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Opmerkingen: De testlast fan GD4213Y is 50Ω, de rest oaren binne 1MΩ